Компания Guangmai Technology специализируется на производстве светодиодных микросхем 1 Вт, 3 Вт, 3535, SMD, 585 нм, 590 нм, 595 нм.
Полупроводниковая технология желтых светодиодов сделала прорыв
После 57 лет разработки светодиоды видимого света достигли полного цвета, обеспечивая людей красочными визуальными праздниками и высокоэффективными энергосберегающими источниками освещения. Однако в течение долгого времени развитие эффективности цветного светодиодного света (эффективности световой мощности) было очень несбалансированным. Среди них световая отдача желтого светодиода намного ниже, чем у других цветов. В результате желтый свет с высокой световой эффективностью должен быть получен за счет преобразования длины волны люминофоров. Этот ГГ "электро-оптико-оптический" ГГ ". Преобразовательное технологическое решение в настоящее время является основной технологией светодиодного освещения. Однако люминофорам присущи недостатки в процессе преобразования света в свет, такие как большие потери тепла, большое количество тепла и затухания света, а также медленный отклик, что ограничивает быстрое развитие светодиодов в направлении высококачественного освещения и высококачественного освещения. скорость связи в видимом свете.
Таким образом, решение" желтый световой промежуток" стала привлекательной целью в этой области. Какие типы подложки, материала, структуры устройства, структуры микросхемы и оборудования можно использовать для производства высокоэффективных желтых светодиодов? Долгое время нет ответа дома и за границей.
В двух системах материалов с желтым светом, когда длина волны AlGaInP изменяется от красного света к желтому свету, ширина запрещенной зоны изменяется с прямой на непрямую, и эффективность резко падает. Это физическое узкое место; в то время как нитрид индия-галлия представляет собой прямую запрещенную зону, которая является самой большой. Трудность состоит в том, чтобы вырастить высококачественный материал квантовой ямы индия-галлия-азота с высоким содержанием индия, галлия, азота, что является узким местом с технической точки зрения. Состав индия в квантовой яме желтого светодиода составляет около 30%, что, очевидно, превышает состав индия в синей квантовой яме примерно на 15%. Существует много трудностей при выращивании индия-галлий-азота с высоким содержанием индия: низкая температура роста вызывает растрескивание аммиака, меньшее количество вакансий азота, медленную миграцию атомов и шероховатую поверхность, нечеткие и барьерные границы раздела с разной толщиной, неоднородный состав индия и сильную сегрегацию индия. Разделение фаз, сильная поляризация InGaN / GaN снижает перекрытие волновых функций несущих и т. д.
Недавно исследовательская группа Jiang Fengyi из Наньчанского университета опубликовала статью в журнале Photonics Research: Efficient InGaN-based Yellow Light-Emitting Diodes, в которой продемонстрирован прорыв в разработке и производстве светодиодных материалов с желтыми световыми полосами. Основываясь на исходных материалах синих светодиодов на основе GaN / Si, структуре устройства и структуре микросхемы, они разработали новые структуры материалов, новое оборудование для выращивания и новые процессы. Они превратили три основных несоответствия (большое несоответствие коэффициентов теплового расширения, большое несоответствие ширины запрещенной зоны и большое несоответствие постоянной решетки) в три основных преимущества.
Исследовательская группа изобрела метод и технологию выращивания материала на основе сетки. На подложке изготавливается регулярная сетка для замены неравномерных трещин, что устраняет эффект накопления напряжений GaN / Si и решает проблему трещин, вызванных материалом. Проблема невозможности производства светоизлучающих чипов также имеет преимущество выращивания высокоэффективных материалов из нитрида индия-галлия с высоким содержанием индия из-за поддержания GaN в условиях растягивающего напряжения.
Исследователи изобрели структуру светодиодного чипа на основе кремния с высокой эффективностью вывода света за счет регулировки направления тока, положения излучения света и пути излучения света, что не только решает проблему поглощения света подложкой и блокировки света электродом, но также имеет преимущества одностороннего светового излучения и высокого качества луча. Разработанный новый интегрированный переходный слой не только решает проблему высокой плотности дислокаций, но также рационально использует дислокации для формирования структуры устройства с большими V-образными ямками, улучшает путь переноса дырок и повышает эффективность светодиода.
На основе преобразования трех основных несоответствий в три основных преимущества они скорректировали путь транспортировки реакционного газа и механизм осаждения, изобрели плотную реакционную камеру с коаксиальной гильзой и разработали компонент с высоким содержанием индия, который более благоприятен для включения индия. Оборудование для выращивания материала нитрида галлия индия увеличивает температуру роста материала, уменьшает эффект памяти и делает квантовую яму и границу раздела барьеров крутой; управляемый плотностью тока 20 А / см2 и 3 А / см2, 565-нм кремниевый желтый светодиодный светильник КПД был увеличен до 24,3% и 33,7%, что соответствует 149 лм / Вт и 192 лм / Вт соответственно, что эффективно уменьшение желтого зазора и решение проблемы отсутствия высокоэффективного желтого света в светодиодах в мире.
Структура материала представляет собой структуру с множеством квантовых ям из нитрида индия-галлия кремниевой подложки с трехмерным PN-переходом с большими V-углублениями, а микросхема представляет собой одностороннюю светоизлучающую тонкопленочную структуру.
Желтый и янтарный / оранжевый цвет smd привел световой эффект
Электрические характеристики:
Размер посылки:
заявка
О Гуанмай
Shenzhen Guangmai Technology Co., Ltd. - предприятие электронной техники, объединяющее R& D, производство, продажи и обслуживание. С момента своего основания компания придерживается бизнес-философии" целостность, направленность и инновации", специализируясь на УФ-светодиодах, глубоких ультрафиолетовых светодиодах, 265-405 нм: 2835 фиолетовый, 3535 фиолетовый 1414 фиолетовый УФ-модуль, 6868 фиолетовый, 7070 фиолетовый, 5050 фиолетовый, 3838 фиолетовый свет, 1212 фиолетовый свет и COB интегрированный светодиодный фиолетовый свет, имитирующий люмен мощный светодиодный фиолетовый свет, исследования и разработки и производство специальных источников УФ-света. После неустанных усилий, УФ-светодиодное отверждение ультрафиолетовым светом, импульсное ультрафиолетовое отверждение, УФ-светодиодный струйный принтер, биомедицина, источник света для обнаружения и анализа полиции, лампа для роста растений, многодиапазонный источник света для научных исследований, ультрафиолетовая стерилизация, лечение светодиодными фотонами, ультрафиолет очистка воды, обработка овощей, обработка воздуха и т. д. в качестве основной производственной линии. Наша цель: выжить за счет качества, добросовестно добиваясь сотрудничества.
Техническая спецификация:
Для получения более подробной информации, пожалуйста, обращайтесь напрямую в Guangmai Tech.
Вы можете скачать техническое описание светодиодного чипа SMD 1 Вт, 3 Вт, желтого цвета 3535, 585 нм, 590 нм, 595 нм, в верхней части этой страницы.
горячая этикетка : 1 Вт 3 Вт желтый 3535 smd светодиодный чип 585 нм 590 нм 595 нм, Китай, производители, поставщики, завод, цена, дешево, предложение, техническое описание, спецификации, спецификации
