Характеристики светодиодного диода IR 810nm 3535 SMD
| Название продукта | Светодиодный диод IR 810nm 3535 SMD |
| Номер детали | GT-3535R805-1CC0-G1D2M |
| Марка чипсов | Тайвань Эпиледс |
| Торговая марка производителя на этикетке |
Бренд GMKJ Изготовлено компанией Guangmai Technology Co., Ltd, расположенной в городе Шэньчжэнь, Китай. |
| Вход |
1,4–1,8 В постоянного тока с IFmax 700 мА |
| Световой/лучистый поток | 400-600 мВт при 700 мА |
| Эффективность освещения | Невидимые инфракрасные светодиоды, LM/W отсутствуют. |
| Длина волны/Цвет |
Пиковая длина волны 805-810 нм
Другая длина волны доступна здесь в инфракрасном диапазоне: 730-740 нм; 805-810 нм; 830-835 нм; 845-855 нм; 900-910 нм; 940-950 нм;
Длина волны SWIR доступна в: 1040-1050 нм; 1060-1080 нм; 1200-1250 нм; 1300-1350 нм; 1400-1450 нм; 1500-1550 нм; 1570-1580 нм; 1600-1650 нм; |
| Власть |
1-3 Вт |
| Материал упаковки |
Керамика AL2O3, светодиод smd размером 3,5x3,5 мм. |
| Угол освещения |
Угол освещения 120 градусов, купольная силиконовая линза (обычный запас, небольшое количество в порядке) Угол освещения 90 градусов, купольная силиконовая линза (MOQ 2000 шт.) Угол освещения 60 градусов, купольная силиконовая линза (MOQ 2000 шт.) Угол освещения 30 градусов, купольная силиконовая линза (MOQ 2000 шт.) |
| Цена | Пожалуйста, свяжитесь с GMKJ, чтобы узнать цену. |
| Минимальный объем заказа |
Зависит от наличия на складе: Если у нас есть готовые к отправке запасы, то здесь приемлемы даже 100 шт. с образцами для тестирования. Если нет на складе, то нам нужен минимальный объем заказа не менее 1000 шт. в 1 рулонной упаковке. |
| Гарантия | 4 года |
| OEM-сервис |
1. Доступны детали крупноузловой сборки; 2. Здесь подойдет индивидуальная светодиодная матрица нужного вам размера. |
| Номер детали | Власть | Длина волны | Марка чипсов | Входные характеристики | ||
| ГТ-3535Р700-Г1Д2 | 1-3W | 700-710 нм | Тайвань Эпиледс 42mil | 2В 700мА | ||
| GT-3535R730-G1B7 | 1W | 730-740 нм | Тайвань Эпиледс 27мил | 2В 350мА | ||
| ГТ-3535Р730-С2Д5 | 1-3W | 730-740 нм | Предложенный! Шилан 45 мил, высокая оптическая мощность/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 2В 700мА | ||
| GT-3535R730-G1D2 | 1-3W | 730-740 нм | Тайвань Epileds 42mil/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 2В 700мА | ||
| ГТ-3535Р750-Г1Д2 | 1-3W | 750-760 нм | Тайвань Эпиледс 42mil | 2В 700мА | ||
| GT-3535R760-G1D2 | 1-3W | 760-765 нм | Тайвань Эпиледс 42mil | 2В 700мА | ||
| GT-3535R780-G1D2 | 1-3W | 780-790 нм | Тайвань Эпиледс 42mil | 2В 700мА | ||
| ГТ-3535Р800-Г1Д2 | 2-3W | 800-810 нм, 400-600 мВт | Тайвань Эпиледс 42mil | 1,5 В макс. 1000 мА | ||
| GT-3535R800-1CS0-G1D2 | 4-6W | 800-810нм, 800-900мВт | Epileds 42mil, Nano Stack, высокая мВт/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 3 В макс. 1000 мА | ||
| GT-3535R830-G1D2 | 2-3W | 830-840 нм, 400-600 мВт | Тайвань Эпиледс 42mil | 1,5 В макс. 1000 мА | ||
| ГТ-3535Р850-С2Б6 | 1.5W | 845–855 нм (рекомендуется) | Китай Шилан 26 мил, высокий мВт/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 1,5 В макс. 500 мА | ||
| GT-3535R850-S2C6 | 2W | 845–855 нм (рекомендуется) | Китай Шилан 36 мил, высокий мВт/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 1,5 В макс. 700 мА | ||
| ГТ-3535Р850-С2Д2 | 3W | 845–855 нм (рекомендуется) | Китай Шилан 42 мил, высокий мВт/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 1,5 В макс. 1000 мА | ||
| ГД-3535Р850-С2Д2 | 3-4W | 845–855 нм (рекомендуется) | Китай Шилан 42 мил, высокий мВт/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 1,5 В макс. 1500 мА | ||
| ГТ-3535Р850-Г1Д2 | 2-3W | 845–855 нм, 400–600 мВт | Тайвань Epileds 42mil/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 1,5 В макс. 1000 мА | ||
| GT-3535R850-1CS0-G1D2 | 3-5W | 845–855 нм, 800–900 мВт | Тайвань Epileds 42mil, Nano Stack/ 30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 3 В макс. 1000 мА | ||
| ГД-3535Р850-1CS0-S1D2 | 4-6W | 850-855 нм, 1500-1800 мВт | Китай Санан 42 мил, нано-стек/ 30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 3 В макс. 1500 мА | ||
| GT-3535R880-G1D2 | 2-3W | 880-885 нм, 400-600 мВт | Тайвань Эпиледс 42mil | 1,5 В макс. 1000 мА | ||
| GT-3535R900-G1D2 | 2-3W | 900-910 нм, 400-600 мВт | Тайвань Эпиледс 42mil | 1,5 В макс. 1000 мА | ||
| GT-3535R940-G1B8 | 1W | 940-950 нм | Тайвань Эпиледс 28мил | 1,5 В 350 мА | ||
| GT-3535R940-G1D2 | 2-3W | 940-950 нм, 400-600 мВт | Тайвань Epileds 42mil/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 1,5 В макс. 1000 мА | ||
| GT-3535R940-S1D2 | 2-4W | 940–950 нм (рекомендуется) 500–700 мВт | Китай Санан 42mil/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 1,5 В макс. 1500 мА | ||
| GT-3535R940-1CS0-G1D2 | 3-5W | 940-950 нм, 800-900 мВт | Тайвань Epileds 42mil, Nano Stack/ 30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 3 В макс. 1000 мА | ||
| ГД-3535Р940-1CS0-S1D2 | 4-6W | 940-950 нм, 1500-1800 мВт | Китай Санан 42 мил, нано-стек/ 30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 3 В макс. 1500 мА | ||
| GT-3535R940-G1B8 | 1W | 940-950 нм | Тайвань Эпиледс 28мил | 1,5 В 350 мА | ||
| GT-3535R980-G1D2 | 1-3W | 980-985 нм | Тайвань Эпиледс 42mil | 1,5 В 700 мА | ||
| ГТ-3535Р1040-Г1Д2 | 1-3W | КВИР 1040-1050 нм | Тайвань Epileds 42mil/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 1,0-1,4 В 700 мА | ||
| GT-3535R1060-S1D2 | 1-3W | КВИР 1060-1070 нм | Китай Санан 42mil/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 1,0-1,4 В 700 мА | ||
| GT-3535R1060-G1D2 | 1-3W | КВИР 1060-1080 нм | Тайвань Epileds 42mil/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 1,0-1,4 В 700 мА | ||
| ГТ-3535Р1200-Г1Д2 | 1-3W | КСИР 1200-1250 нм | Тайвань Epileds 42mil/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 0,8-1,4 В 700 мА | ||
| ГТ-3535Р1300-Г1Д2 | 1-3W | КСИР 1300-1350 нм | Тайвань Epileds 42mil/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 0,8-1,4 В 700 мА | ||
| ГТ-3535Р1400-Г1Д2 | 1-3W | КСИР 1400-1450 нм | Тайвань Epileds 42mil/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 0,6-1,2 В 700 мА | ||
| ГТ-3535Р1500-Г1Д2 | 1-3W | КСИР 1500-1550 нм | Тайвань Epileds 42mil/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 0,6-1,2 В 700 мА | ||
| ГТ-3535Р1575-Г1Д2 | 1-3W | КСИР 1575-1580 нм | Тайвань Epileds 42mil/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 0,6-1,2 В 700 мА | ||
| ГТ-3535Р1630-Г1Д2 | 1-3W | КСИР 1630-1650 нм | Тайвань Epileds 42mil/30 градусов, 60 градусов, 90 градусов, 120 градусов | 0,6-1,2 В 700 мА | ||
IR 810nm 3535 SMD светодиодный диод pкартина
 |
 |
|
Угол освещения 120 градусов, купольная силиконовая линза 120 градусов |
Угол освещения 90 градусов, купольная силиконовая линза (MOQ 2000 шт.) Угол освещения 60 градусов, купольная силиконовая линза (MOQ 2000 шт.) Угол освещения 30 градусов, купольная силиконовая линза (MOQ 2000 шт.) |
Алюминиевая светодиодная печатная плата, собранная GMKJ (чертеж печатной платы и спецификация предоставлены нашими клиентами)
Компания GMKJ имеет-собственную линию сборки печатных плат со светодиодами SMT, включающую автоматическую машину для захвата и размещения, автоматическую машину для нанесения паяльной пасты, высокотемпературную печь оплавления.
Мы можем выполнить сборку светодиодной печатной платы для наших клиентов, если они смогут предоставить нам чертеж печатной платы и список спецификации печатной платы.
Размер светодиодного диода IR 810nm 3535 SMD
Светодиодный диод IR 810nm 3535 SMDЭлектрические характеристики
|
Параметр |
Символ |
Условия |
Мин |
Среднее |
Макс |
Единицы |
|
Прямое напряжение |
VF |
IF=700 мА |
1.40 |
-- |
1.80 |
V |
|
Термостойкий переход На борт |
RΘJ-B |
IF=700 мА |
-- |
6.5 |
-- |
степеньC/W |
|
СияющийПоток |
Φe |
IF=700 мА |
400 |
-- |
600 |
mW |
|
Пикдлина волны |
λp |
IF=700 мА |
805 |
-- |
810 |
нм |
|
Обратный ток |
IR |
VR=5V |
−− |
−− |
10 |
μ A |
|
Угол обзора [1] |
2Θ1/2 |
IF=700 мА |
−− |
120 |
−− |
град |
Почему светодиоды с длиной волны 810 нм широко используются для красного терапевтического света? В чем его преимущество по сравнению с длиной волны 850 нм?
Длина волны 810 нм обычно используется в красной/БИК-терапии главным образом потому, что она близка к одному из пиков поглощения митохондриальных ферментов (таких как цитохром с-оксидаза). Проще говоря, организм может «использовать» эту длину волны немного более эффективно, поэтому эффект фотобиомодуляции обычно считается более сильным.
По сравнению с 850 нм:
Эффективность:
Длина волны 810 нм обычно считается более «биологически активной», поэтому ее часто используют в более профессиональных или медицинских-приложениях.
Проникновение:
Длина волны 850 нм может проникать в ткани немного глубже, тогда как длина волны 810 нм все еще глубока, но по пути поглощается немного больше.
Эффективность:
Светодиоды с длиной волны 850 нм обычно более эффективны, и их легче достичь, поэтому они очень распространены в коммерческих продуктах.
Видимость:
Длина волны 850 нм имеет слабое красное свечение, а длина волны 810 нм почти полностью невидимо.
Итак, на практике:
810 нм часто выбирают, когда основное внимание уделяется эффективности терапии.
850 нм широко используется, когда эффективность, стоимость и выходная мощность более важны.
Оба широко используются, просто с немного разными приоритетами.
На этой странице вы можете скачать техническое описание соответствующих светодиодов SMD.
Если вам нужна дополнительная информация, такая как цена, минимальный объем заказа, состояние запасов и время выполнения заказа, пожалуйста, свяжитесь напрямую с GMKJ LEDs!
Мы всегда здесь для вас!
горячая этикетка : IR 810nm 3535 smd светодиодный диод, Китай, производители, поставщики, завод, цена, дешево, котировка, техническое описание, характеристики, спецификация
