Почему светодиоды нагреваются при работе?
Существует три основные серии мощных светодиодов. Первый тип является наиболее часто используемыми мощными ламповыми шариками, которые имитируют люмены, но самая неудобная часть этого вида ламповых бусин заключается в том, что они могут быть наклеены только вручную и не могут быть установлены на установочной машине. Он не может пройти через печь оплавления, поэтому его можно паять только вручную или на нагревательном столе. Вторая — серия SMD от Cree. Бусины лампы маленькие, а SMD очень удобен. Однако из-за его небольших размеров выделение тепла чипом должно быть небольшим. Требования к чипам высоки.
В основном, Кри делает (или использует чипы Кри), и цена относительно высока. Третий - Samsung 5630 (5730), который находится между высокой мощностью и низким энергопотреблением, обычно можно использовать только 0,5 Вт, он более удобен для патча, но не удобно использовать объектив, поэтому его используют многие лампы с непрозрачной крышкой, а еще один - встроенные ламповые шарики, которые зависят от количества и размера чипов.
Светодиод высокой мощности
Мощные светодиодные индикаторы работают причины лихорадки:
Под прямым напряжением светодиода электроны получают энергию от электрического источника. Приводимые в движение электрическим полем, они преодолевают электрическое поле PN-перехода и переходят из N-области в P-область. Эти электроны рекомбинируют с дырками в P-области. Поскольку свободные электроны, дрейфующие в область P, имеют более высокую энергию, чем валентные электроны в области P, электроны возвращаются в низкоэнергетическое состояние во время рекомбинации, и избыточная энергия высвобождается в виде фотонов.
На пути внутрь диода электроны будут потреблять энергию из-за существования сопротивления. Потребляемая мощность соответствует основным законам электроники: P = I2 R = I2 (RN ++RP ) + IVTH, где: RN - объемное сопротивление N области VTH - напряжение включения PN-перехода RP - тепло, генерируемое мощностью, потребляемой объемным сопротивлением области P Для: Q = Pt где: t - время, когда диод находится под напряжением.
По сути, светодиод по-прежнему является полупроводниковым диодом. Поэтому, когда светодиод работает в прямом направлении, его рабочий процесс соответствует приведенному выше описанию. Электроэнергия, которую он потребляет, составляет: P LED = U LED × I LED В формуле: U LED - это прямое напряжение на светодиодном источнике света I LED - это ток, протекающий через светодиод, а потребляемая электроэнергия преобразуется в тепло и выделяется: Q = P LED × t где: t - время включения питания.
Фактически, энергия, выделяемая электронами, когда они рекомбинируют с дырками в области P, не обеспечивается непосредственно внешним источником питания, а потому, что электроны в области N имеют более высокий уровень энергии, чем область P в отсутствие внешнего электрического поля. Уровень энергии валентных электронов выше, чем Eg. Когда он достигает области P и рекомбинирует с дыркой, чтобы стать валентным электроном P-области, он выпустит так много энергии. Размер Eg определяется самим материалом и не имеет ничего общего с внешним электрическим полем. Воздействие внешнего источника питания на электрон заключается только в том, чтобы подтолкнуть его к движению направленным образом и преодолеть эффект PN-перехода.
